从供电架构到磁性与测试，优优绿能AIDC与SST技术分享会圆满举行

在AI数据中心场景下，供电系统最直接的变化是单机柜功率持续上升。功率上升以后，如果供电电压保持不变，电流、铜耗、母排、线缆和连接器压力都会快速增加。因此，数据中心高压直流正在从240V、336V、480V 等既有路线，进一步向 ±400V、800V，甚至更高电压等级演进。

与此同时，GPU集群对高速互联和机柜空间提出了更高要求。Sidecar、Power Rack等方案把部分电源设备从IT柜中移出，为GPU、CPU和高速互联释放更多空间。电源位置改变以后，800V母线如何进入机柜、怎样继续降到50V或更低电压、储能接在哪一级、哪一级承担快速动态调节，都需要重新设计。

王正仕教授还结合LLC、DAB等拓扑，对服务器电源和备电系统中的工程取舍进行了分析。LLC在谐振点附近具备较高效率和较好的软开关特性，适合工况相对稳定的高功率密度场景；DAB支持双向功率流，电压适应范围更宽，更适合BBU、储能和宽范围DCDC，但需要通过移相和谐振优化降低环流损耗。

从这一角度看，AIDC备电也不再只有集中式UPS一种形式。BBU、机架储能和园区级储能将共同参与动态支撑，供电系统需要同时处理接管速度、电池电压变化、双向充放电、故障隔离和系统协同等问题。

围绕SST的发展趋势，应建平老师从数据中心供电架构演进、交流SST、直流SST、中压直整和高频高压变压器等方向进行了分享。

SST的价值并不只是用高频变压器替代工频变压器。它有机会把变压、隔离、整流、控制、保护和能量管理集成到一套电力电子装备中，并把中压电网、800V直流母线、储能和新能源接入同一套直流供电系统。

但从工程应用看，SST仍需要与传统工频变压器、移相整流、中央整流器和 HVDC方案放在同一套系统中比较。传统变压器配合多脉波整流或二极管整流，在效率、成本、可靠性和维护方面仍具有成熟优势；SST 则在双向能量流、直流接口、功率密度和系统控制方面提供了新的可能。

这也解释了为什么当前行业不会只有一条供电路线。在实际项目中，工频变压器+HVDC、中压直整、800V供电和SST可能长期并存。不同方案最终要回到具体场景中判断：是否减少了变换级数，是否提升了系统效率，能否满足数据中心对冗余、维护和连续运行的要求，以及整体成本是否具备竞争力。

高频变压器，决定 SST 能否从拓扑走向工程

SST的主电路和控制已有较长时间的技术积累，真正进入大功率、高电压应用以后，高频高压变压器成为影响效率、温升、绝缘和长期可靠性的关键环节。

郑庆杰博士围绕SST磁芯损耗测试与材料选型进行了分享，重点介绍了磁滞损耗、涡流损耗、绕组交流损耗、集肤效应、邻近效应、气隙扩散磁通以及端部效应等问题。

在高频场景中，绕组交流损耗可能远高于直流损耗。线径、绞距、绕组层数、交错方式、气隙位置和引线结构都会改变电流分布和局部温升。高频磁性元件设计不能只按直流电阻或材料手册计算，还需要结合实际磁芯尺寸、结构和工作波形进行测试与优化。

针对大尺寸SST磁芯，传统小标环测试数据与实际产品之间可能存在明显差异。磁芯材料、烧结工艺、切割方式和装配应力也会影响不同磁柱之间的一致性。因此，损耗测试不仅用于研发设计，也开始进入来料筛选和批次一致性控制环节。

在材料选择上，铁氧体电阻率高，在较高频率下具有较低的涡流损耗，当前工艺相对成熟；纳米晶在较低频率和大功率场景下具备潜力，但仍需要解决切割面损伤、层间绝缘、应力敏感和长期稳定性等问题。对于SST而言，频率并不是越高越好，最终需要在磁芯损耗、绕组损耗、绝缘、散热和体积之间取得平衡。

从工频耐压到高频局放，测试标准需要跟上实际工况

江苏新亚陈忠伟围绕高频变压器局部放电与绝缘测试进行了分享。内容覆盖绝缘电阻、工频耐压、感应耐压、传统局放、高频局放和雷电冲击等测试方向。

目前SST高频变压器仍缺少成熟统一的专用标准，工程上通常参考电力变压器和干式变压器的相关试验方法。工频耐压主要考察主绝缘，感应耐压关注匝间和纵绝缘，传统局放则用于发现气泡、裂纹、尖端、悬浮导体和颗粒等绝缘缺陷。

因此，高频局放测试需要可调高频高压源、HFCT或UHF传感器、宽带采集、屏蔽、滤波和模式识别等能力。测试的目标也不只是判断“有没有局放”，还要逐步建立局放幅值、频率、缺陷类型与长期寿命之间的关系。

随着SST进入更高电压和更大功率等级，绝缘测试还需要与温升、污染等级、灌封、液冷、爬电距离、系统保护和故障切除结合起来。单个变压器通过耐压试验只是基础，最终仍要验证故障发生后，系统能否快速隔离故障模块，并保持其余供电链路继续运行。